AIXTRONs Planeten-Technologie bereitet den Weg für die nächste Generation hochauflösender Micro LED-Displays und Laser
Finanz und Wirtschaft
EQS-Media / 26.01.2023 / 09:53 CET/CEST
AIXTRON stellt neues G10-AsP-System auf Photonic West vor
AIXTRONs Planeten-Technologie bereitet den Weg für die nächste Generation
hochauflösender Micro LED-Displays und Laser
Herzogenrath, 26. Januar 2023 –AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) bringt
die erste vollautomatisierte AsP-Plattform auf den Markt. Die neue Anlage
G10-AsP adressiert die wachsenden Anforderungen im Bereich der Micro LED- und
Laser-Bauelemente. Als erstes System in der Branche ermöglicht die G10-AsP eine
robuste Großserienproduktion, die mit sehr hohen und komplexen Anforderungen
verbunden ist.
"Micro LEDs werden die Welt der Displays revolutionieren, da sie eine höhere
Lebensdauer, eine bessere Bildqualität und eine sehr gute Energieeffizienz
bieten. Diese innovative Technologie stellt den Produktionsprozess aber vor
große Herausforderungen, da niedrigste Fehlerquoten und höchste Anforderungen
bei der Gleichförmigkeit erreicht werden müssen. Die Antwort darauf ist unsere
neue G10-AsP, die den ersten vollautomatisierten Depositionsprozess der Branche
bietet. Die neue Anlage ermöglicht den höchsten Durchsatz seiner Klasse mit
einer bisher noch nie dagewesenen Homogenität und Defektrate", sagt Dr. Felix
Grawert, CEO und President der AIXTRON SE.
Zum ersten Mal wird eine echte Massenproduktion von Micro LEDs mit strengsten
Materialanforderungen und reduzierten Chipgrößen von 10 Mikrometern und weniger
zur Realität. Darüber hinaus erfüllt die G10-AsP auch die immer komplexer
werdenden Anforderungen bei der Herstellung von InP (Indiumphosphid)-Lasern und
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) in hohen Stückzahlen.
Die neue Plattform G10-AsP wird am 1. Februar 2023 auf der Photonics West Messe
in San Francisco, USA, offiziell vorgestellt. Während dieser Veranstaltung
werden AIXTRON-Experten die neue, mit Innovationen vollgepackte Anlage
vorstellen, und zeigen, wie sie den höchsten Durchsatz ihrer Branche
garantiert.
Die neue vollautomatisierte G10-AsP ist die größte 200mm AsP-Batch-Anlage auf
dem Markt. Sie verfügt über eine automatische Reaktorreinigung und eine
automatische Waferbeladung mittels hochmodernem C2C-Automatisierungsmodul
(Cassette-to-Cassette). Für 200-mm-Wafer kann das Front-End der Anlage mit SMIF
(Standard Mechanical Interface)-Pods ausgestattet werden, um die Exposition der
Epitaxiewafer gegenüber der Raumumgebung weiter zu minimieren. Die automatische
Reaktorreinigung ermöglicht es dem Benutzer, die Kammerbedingungen bei Bedarf
neu einzustellen – entweder nach jedem Prozesslauf für die anspruchsvollsten
Anforderungen oder nach einer Produktionskampagne für den höchsten Ausstoß an
Epi-Wafern pro Zeit. Die Plattform basiert auf dem erfolgreichen Planetary
Reactor(R)-Prinzip, das ein Multiwafer-Batch-Reaktorkonzept mit der Rotation der
einzelnen Wafer kombiniert, um höchste Homogenität der Abscheidung zu
gewährleisten.
Micro LEDs werden nicht nur für die nächste Generation von TV-Displays
verwendet, sondern auch für künftige Smartwatches, Smartphones,
Augmented-Reality (AR)-Projektionen oder Fahrzeugdisplays. Analysten erwarten,
dass in diesem Bereich in den nächsten fünf bis zehn Jahren der größte Markt
für LEDs entstehen wird.
Die größte Herausforderung sowohl für fortschrittliche Micro LEDs als auch
künftige InP und VCSEL-Anwendungen bleibt die Gleichförmigkeit: Die Homogenität
auf dem Wafer und zwischen den einzelnen Wafern muss in einem
Massenproduktionsprozess optimiert werden. Die neue G10-AsP setzt bei diesen
Werten einen neuen Standard und bietet eine zwei- bis dreifache Verbesserung zu
ihrem Vorgänger. Die vollautomatisierte Plattform wird damit eine neue Ära in
der Produktion von Micro LEDs und photonischen Bauelementen einleiten.
Photonische Bauelemente wie Infrarotlaser und -detektoren haben bereits eine
breite Marktakzeptanz. In der Telekommunikation bilden sie die Grundlage, um
den ständig wachsenden Datenmengen gerecht zu werden, was mit immer höheren
Bandbreitenanforderungen verbunden ist. Außerdem ermöglichen sie die
3D-Sensorik, z. B. für die Gesichtserkennung, und fortgeschrittene Technologien
für das autonome Fahren: Mit der kontinuierlichen Weiterentwicklung dieser
Technologie müssen die Strahlen größere und breitere Bereiche abbilden. Dies
erfordert engere Wellenlängentoleranzen, was mit hohen Anforderungen an die
Epitaxie verbunden ist: Mit der neuen G10-AsP lässt sich der gesamte
Epitaxie-Prozess besser steuern. Das Resultat sind reduzierte Defekte, eine
bessere Gleichförmig- und Materialgenauigkeit und damit höhere Ausbeute.
Die verbesserte Gleichförmigkeit bildet die Grundlage für eine wirtschaftlich
tragbare Massenproduktion von Micro LEDs: Micro LED-Displays beruhen auf einem
speziellen Stempel- oder Matrizentransferverfahren, bei dem Tausende von
LED-Chips (Arrays) von nur wenigen Mikrometern Größe aufgenommen und übertragen
werden. Da ganze Arrays von Pixeln vom Epi-Wafer-Substrat übertragen werden,
ist eine nahezu perfekte Einheitlichkeit erforderlich –oder können Sie sich
vorstellen, eine Smartwatch oder ein Smartphone zu kaufen, dessen Display in
einer Ecke eine andere Farbe hat als in der anderen?
Ansprechpartner
Guido Pickert
Vice President Investor Relations & Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-444
e-mail g.pickert@aixtron.com
Ragah Dorenkamp
Director Corporate Communications
fon +49 (2407) 9030-1830
mobil +49 (151) 74607360
e-mail r.dorenkamp@aixtron.com
Die neue vollautomatisierte AIX G10-AsP ist die größte 200mm AsP-Batch-Anlage
auf dem Markt. Sie verfügt über eine automatische Reaktorreinigung und eine
automatische Waferbeladung mittels hochmodernem C2C-Automatisierungsmodul
(Cassette-to-Cassette).
Über AIXTRON
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische
und optoelektronische Anwendungen auf Basis von Verbindungshalbleiter- oder
organischen Halbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu
gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung,
SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), APEVA(R), Atomic
Level SolutionS(R), Close Coupled Showerhead(R), CRIUS(R), EXP(R), EPISON(R),
Gas Foil Rotation(R), Optacap(TM), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R),
STExS(R), TriJet(R)
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.
Zukunftsgerichtete Aussagen
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind.. Dies kann
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung
vor.
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE
Schlagwort(e): Forschung/Technologie
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